|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
|
2 816
|
174.77
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
США
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
ATMEL1
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
MICRO CHIP
|
7 781
|
203.64
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32A-AU |
|
Микроконтроллер АЦП 10-bit, Флеш 32к, EEPROM 1024, ОЗУ 2048, 2.7 - 5.5B
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
630
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
367 875
|
1.94
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
131 685
|
2.09
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
64 794
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
4.91
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
680 815
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
568
|
1.88
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
379 276
|
1.26
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
1
|
1.30
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
342
|
1.44
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
11 898
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
232 800
|
1.12
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 060 782
|
1.06
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
272 313
|
1.10
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
120 000
|
1.03
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
751 769
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
22 944
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 710
|
1.68
|
|
|
|
BFS17A |
|
Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...
|
NXP
|
40
|
16.80
|
|
|
|
BFS17A |
|
Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BFS17A |
|
Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BFS17A |
|
Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...
|
|
|
10.84
|
|
|
|
BFS17A |
|
Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...
|
NXP
|
230
|
|
|
|
|
BFS17A |
|
Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...
|
PHILIPS
|
92
|
|
|
|
|
BFS17A |
|
Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
FM25L16B-GTR |
|
|
RAMTRON
|
|
|
|
|
|
FM25L16B-GTR |
|
|
CYPRESS SEMICONDUCTOR
|
1
|
501.00
|
|
|
|
FM25L16B-GTR |
|
|
RAM
|
|
|
|
|
|
FM25L16B-GTR |
|
|
CYPR
|
|
|
|
|
|
FM25L16B-GTR |
|
|
CYP
|
|
|
|
|
|
FM25L16B-GTR |
|
|
|
1 036
|
128.47
|
|
|
|
FM25L16B-GTR |
|
|
CYPRESS
|
|
|
|
|
|
FM25L16B-GTR |
|
|
0.00
|
|
|
|
|
|
FM25L16B-GTR |
|
|
CYPRESS
|
200
|
134.32
|
|
|
|
FM25L16B-GTR |
|
|
INFINEON
|
2 582
|
110.21
|
|
|
|
LP2950CDT-3.3RKG |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LP2950CDT-3.3RKG |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
ONS
|
7 650
|
51.04
|
|
|
|
LP2950CDT-3.3RKG |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
|
|
|
|
|
|
LP2950CDT-3.3RKG |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LP2950CDT-3.3RKG |
|
Линейный Стабилизатор напряжения ``low drop``30В/3.3В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
36
|
|
|