|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
DL4744A |
|
Стабилитрон SMD 15В, 1Вт
|
|
12 000
|
2.00
|
|
|
|
DL4744A |
|
Стабилитрон SMD 15В, 1Вт
|
DC COMPONENTS
|
63 156
|
6.13
|
|
|
|
DL4744A |
|
Стабилитрон SMD 15В, 1Вт
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
DL4744A |
|
Стабилитрон SMD 15В, 1Вт
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
DL4744A |
|
Стабилитрон SMD 15В, 1Вт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DL4744A |
|
Стабилитрон SMD 15В, 1Вт
|
YJ
|
34 504
|
6.24
|
|
|
|
DL4744A |
|
Стабилитрон SMD 15В, 1Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
DL4744A |
|
Стабилитрон SMD 15В, 1Вт
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
DL4744A |
|
Стабилитрон SMD 15В, 1Вт
|
HOTTECH
|
1 600
|
4.92
|
|
|
|
DL4744A |
|
Стабилитрон SMD 15В, 1Вт
|
KLS
|
|
|
|
|
|
DL4744A |
|
Стабилитрон SMD 15В, 1Вт
|
LGE
|
1 083
|
6.76
|
|
|
|
DL4744A |
|
Стабилитрон SMD 15В, 1Вт
|
DS
|
1 657
|
4.00
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
DC COMPONENTS
|
2 204
|
67.00
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
|
|
58.52
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
MIC
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
YJ
|
4 468
|
40.12
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
LGE
|
11 089
|
20.60
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
HOTTECH
|
3 841
|
29.92
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
26
|
117.30
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
14
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MIC
|
760
|
41.52
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YJ
|
12 924
|
28.54
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
|
1
|
58.08
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
218
|
57.48
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
KLS
|
30 508
|
31.92
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE
|
33 680
|
30.16
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
MUR820 |
|
Диод 200V, 8A, 25nS (Ultrafast)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MUR820 |
|
Диод 200V, 8A, 25nS (Ultrafast)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
MUR820 |
|
Диод 200V, 8A, 25nS (Ultrafast)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
266
|
107.10
|
|
|
|
MUR820 |
|
Диод 200V, 8A, 25nS (Ultrafast)
|
|
1 616
|
23.48
|
|
|
|
MUR820 |
|
Диод 200V, 8A, 25nS (Ultrafast)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MUR820 |
|
Диод 200V, 8A, 25nS (Ultrafast)
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
MUR820 |
|
Диод 200V, 8A, 25nS (Ultrafast)
|
YJ
|
15 622
|
25.90
|
|
|
|
MUR820 |
|
Диод 200V, 8A, 25nS (Ultrafast)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MUR820 |
|
Диод 200V, 8A, 25nS (Ultrafast)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
3 644
|
22.63
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
|
10 839
|
9.49
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
0.00
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
YOUTAI
|
86 804
|
4.78
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TI (TEXAS INSTRUMENTS)
|
16 000
|
12.68
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
UMW
|
2 720
|
6.89
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|