Версия для печати
Технические характеристики IRF640NSPBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 11A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	18A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	67nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1160pF @ 25V
Power - Max	150W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	VISHAY
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	RECTIFIER
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	INTERNATIONAL RECTIFIER
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C			18.80
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	INTERNATIONAL RECTIFIER
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	Vishay/Semiconductors
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	КИТАЙ
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	INFINEON	1	11.87
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	LGE
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	LUGUANG	4 576	8.66
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	SMCMICRO	12 366	5.12
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	SUNMATE	18 282	1.68
		1N4007			DC COMPONENTS	78 273	2.00
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			PANJIT
		1N4007			FSC
		1N4007			MCC
		1N4007			DIC
		1N4007			FAIR
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			MIC	285 720	1.40
		1N4007			DIOTEC	782	3.17
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			LD
		1N4007			JGD
		1N4007			MING SHUN
		1N4007			MS
		1N4007			QUAN-HONG
		1N4007			XR
		1N4007			GALAXY
		1N4007			COMPACT TECHNOLOGY
		1N4007			DC COMPONENTS
		1N4007			FAIRCHILD	288
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR	1
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			MASTER INSTRUMENT CORPORATION
		1N4007			MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			PANJIT	307 692
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N4007			YANGJIE SEMICONDUCT
		1N4007			Fairchild Semiconductor
		1N4007			SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N4007			MICROSEMI CORP
		1N4007			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4007			GD
		1N4007			JC
		1N4007			KINGTRONICS
		1N4007			YJ	351 400	1.61
		1N4007			DIODES INC.
		1N4007			MIG
		1N4007			MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		1N4007			MOTOROLA
		1N4007			YJ ELE-NIC CORP
		1N4007			RECTIFIER
		1N4007			EXTRA COM-NTS
		1N4007			GALAXY ELECTRICAL
		1N4007			GEMBIRD
		1N4007			ТОМИЛИНО
		1N4007			EXTRA
		1N4007			КИТАЙ	800	6.12
		1N4007			DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4007			MD
		1N4007				209 314	1.92  >100 шт.   0.96
		1N4007			ONS-FAIR
		1N4007			ONS
		1N4007			ELZET
		1N4007			GALAXY ME
		1N4007			LGE	66	1.88
		1N4007			HOTTECH	89 447	1.42
		1N4007			KLS	35 200	2.95
		1N4007			YS
		1N4007			YANGJIE	11 200	1.74
		1N4007			YANGJIE (YJ)
		1N4007			MC
		1N4007			FAIRCHILD
		1N4007			WUXI XUYANG
		1N4007			KUU
		1N4007			CHINA	15 317	1.02
		1N4007			SUNRISETRON
		1N4007			UNKNOWN
		1N4007			BILIN
		1N4007			KEHE
		1N4007			1
		1N4007			BL
		1N4007			SUNTAN	100 326	2.20
		1N4007			TWGMC	81 748	1.08  >100 шт.   0.54
		1N4007			CTK
		1N4007			JUXING	125	2.50
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	VISHAY
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MICRO SEMICONDUCTOR
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	ON SEMICONDUCTOR
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	ST MICROELECTRONICS
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	ON SEMICONDUCTOR
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	Vishay/Siliconix
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	STMicroelectronics
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MICROSEMI CORP
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)			66.84
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MINOS	2 385	30.12
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	VISHAY
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...		4	144.00
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	Vishay/Siliconix
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	КИТАЙ
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	1
		IRFR220NPBF		Транзистор N-Канальный 200V 5A 43W 0,6R	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFR220NPBF		Транзистор N-Канальный 200V 5A 43W 0,6R
		IRFR220NPBF		Транзистор N-Канальный 200V 5A 43W 0,6R	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFR220NPBF		Транзистор N-Канальный 200V 5A 43W 0,6R	INFINEON

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"