| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
EFUSE RGEF1000 |
|
|
RYC
|
|
|
|
|
|
|
EFUSE RGEF1000 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
EFUSE RGEF1000 |
|
|
RAY
|
|
|
|
|
|
|
EFUSE RGEF1000 |
|
|
RAYCHEM
|
|
|
|
|
|
|
EFUSE RGEF1000 |
|
|
США
|
|
|
|
|
|
|
EFUSE RGEF1000 |
|
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
EFUSE RGEF1000 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MB351 ДИОДНЫЙ МОСТ 35A 100V |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
MB351 ДИОДНЫЙ МОСТ 35A 100V |
|
|
|
|
|
|
 |
 |
UF4006 |
|
Ультробыстрый диод (1А,800В)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
UF4006 |
|
Ультробыстрый диод (1А,800В)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
UF4006 |
|
Ультробыстрый диод (1А,800В)
|
DC COMPONENTS
|
14 658
|
1.68
|
|
|
|
|
UF4006 |
|
Ультробыстрый диод (1А,800В)
|
|
|
3.56
|
|
|
|
|
UF4006 |
|
Ультробыстрый диод (1А,800В)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
11 072
|
|
|
|
|
|
UF4006 |
|
Ультробыстрый диод (1А,800В)
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
|
UF4006 |
|
Ультробыстрый диод (1А,800В)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
UF4006 |
|
Ультробыстрый диод (1А,800В)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
UF4006 |
|
Ультробыстрый диод (1А,800В)
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
|
UF4006 |
|
Ультробыстрый диод (1А,800В)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
UF4006 |
|
Ультробыстрый диод (1А,800В)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
|
UF4006 |
|
Ультробыстрый диод (1А,800В)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
UF4006 |
|
Ультробыстрый диод (1А,800В)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
UF4006 |
|
Ультробыстрый диод (1А,800В)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
UF4006 |
|
Ультробыстрый диод (1А,800В)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
UF4006 |
|
Ультробыстрый диод (1А,800В)
|
ONS
|
731
|
10.02
|
|
|
|
|
КН102А |
|
Отечественный динистор (диодный тиристор).
|
|
801
|
52.92
|
|
|
|
|
КН102А |
|
Отечественный динистор (диодный тиристор).
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
|
КН102А |
|
Отечественный динистор (диодный тиристор).
|
ТОР
|
|
|
|
|
|
|
КН102А |
|
Отечественный динистор (диодный тиристор).
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
М42303 20В (АНАЛОГ) |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
