Версия для печати

2SC3997 (Универсальные биполярные транзисторы) Very High-definition Color Display Horizontal Deflection Output Applications Производитель: Sanyo Semicon Device //www.semiconductor-sanyo.com 2SC3997 datasheet 85.75Kb 3стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	VISHAY
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	ST MICROELECTRONICS
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт		336	93.60
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	Vishay/Siliconix
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	STMicroelectronics
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	DMS
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	SILICONIX	18
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	КИТАЙ
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	BLUEROCK	1 066	32.30
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	1
		IRG4PC50F		Транзистор IGBT модуль единичный	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRG4PC50F		Транзистор IGBT модуль единичный		1	432.00
		IRG4PC50F		Транзистор IGBT модуль единичный	ТАИЛАНД
		IRG4PC50F		Транзистор IGBT модуль единичный	МЕКСИКА
		IRG4PC50F		Транзистор IGBT модуль единичный	INFINEON
		IRG4PC50F		Транзистор IGBT модуль единичный	1
		ДРЛ-125		Газоразрядные ртутные лампы высокого давления, применяются для уличного освещения и ...		9	170.40
		КТ603А		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, для применения в ...		364	66.30
		КТ603А		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, для применения в ...	ПЛАНЕТА	251	40.00
		КТ603А		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, для применения в ...	МИНСК
		КТ603А		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, для применения в ...	СВЕТЛАНА
		КТ603А		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, для применения в ...	ВОРОНЕЖ
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	КРЕМНИЙ	14	1 167.90
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N		2	334.40
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФЗМТ
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	БРЯНСК	205	1 460.00
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ЭЛЕКТРОПРИБОР
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФРЯЗИНО
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"