|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ECAP 1000/16V 1016 105C RD |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 16 В, 105 С
|
SAMWHA
|
|
|
|
|
|
ECAP 1000/16V 1016 105C RD |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 16 В, 105 С
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
ECAP 1000/16V 1016 105C RD |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 16 В, 105 С
|
|
|
15.24
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
84.15
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
|
|
53.40
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
1
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF640NPBF |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF640NPBF |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF640NPBF |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
INFINEON
|
4 200
|
61.01
|
|
|
|
IRF640NPBF |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
|
3 000
|
30.52
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
UNISONIC TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
UTC
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
DIOTEC
|
38 006
|
3.60
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
FAIRCHILD
|
968
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
3 209
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
UNISONIC TECHNOLOGIES CO, LTD
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
KEC AMERICA (USD)
|
15 222
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
|
56 000
|
1.74
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
HOTTECH
|
44 068
|
1.97
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
LGE
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
YOUTAI
|
9 405
|
2.70
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
YJ
|
69 107
|
2.27
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
SUNTAN
|
74
|
1.57
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
JSCJ
|
258 250
|
2.20
|
|
|
|
ДУ PAN EUR501325 |
|
|
|
|
|
|