|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1A7 (1A 1000V) |
|
|
|
|
|
|
|
|
IRFPE50 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFPE50 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFPE50 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...
|
|
360
|
159.22
|
|
|
|
IRFPE50 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFPE50 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=7.8A@T=25C, Id=4.9A@T=100C, Rds=1.2 R, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MC33363ADWR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC33363ADWR2G |
|
|
|
|
288.00
|
|
|
|
MC33363ADWR2G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MC33363ADWR2G |
|
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
MC33363ADWR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC33363ADWR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
SM4006 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=800V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
SM4006 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=800V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
19 443
|
3.52
|
|
|
|
SM4006 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=800V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
SMK
|
|
|
|
|
|
SM4006 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=800V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
|
10
|
7.04
|
|
|
|
SM4006 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=800V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SM4006 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=800V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
RECTRON
|
256
|
|
|
|
|
SM4006 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=800V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
SM4006 |
|
Выпрямительный диод smd (Vr=800V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=0.49V@I=1A, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
|
888
|
10.80
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
16.83
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
4 163
|
3.00
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
БРЯНСК
|
7 816
|
3.00
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
МИНСК
|
782
|
8.00
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|