2SK2604
N-MOS 800V, 5A, 125W
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 Ohm @ 3A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1080pF @ 25V |
| Power - Max | 125W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | 2-16C1B (TO-247 N) |
| Корпус | TO-3P(N) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SK793 N-MOS 850V. 5A. 150W. P |
|
|
||||||
| 2SK793 N-MOS 850V. 5A. 150W. P | TOSHIBA |
|
|
|||||
| BZV-85C-12V-1.3W |
|
|
||||||
| KBL08 ДИОДНЫЙ МОСТ 4A 800V | DC COMPONENTS |
|
|
|||||
| KBL08 ДИОДНЫЙ МОСТ 4A 800V |
|
|
||||||
| SH200M0047B5S-1320 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ 200 В | YAGEO |
|
|
|||
| SH200M0047B5S-1320 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ 200 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| SH200M0047B5S-1320 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ 200 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
| МЛТ-1-7,5 КОМ-5% | 470 | 5.28 |
