Версия для печати
Технические характеристики 2SK3562

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.25 Ohm @ 3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	28nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1050pF @ 25V
Power - Max	40W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220 (SIS)
Корпус	TO-220SIS

Транзистор полевой MOSFET, N-канал, 600В, 6A, 40 Bт 2SK3562 datasheet 233,83kB 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SD1710		Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц		3	171.60
		2SD1710		Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц	SANYO
		2SD1710		Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц	SAN
		2SD1710		Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц	UNKNOWN
		2SD1710		Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц	NO TRADEMARK
		2SD1710		Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц	ISCSEMI
		M25P64-VMF6P		ИМС памяти Flash 64МВ, SPI	ST MICROELECTRONICS
		M25P64-VMF6P		ИМС памяти Flash 64МВ, SPI			404.00
		M25P64-VMF6P		ИМС памяти Flash 64МВ, SPI	MICRON
		M25P64-VMF6P		ИМС памяти Flash 64МВ, SPI	ST MICROELECTRONICS SEMI
		M25P64-VMF6P		ИМС памяти Flash 64МВ, SPI	Numonyx - A DIVISION OF MICRON SEMICONDUCTOR PRODUCTS, INC
		M25P64-VMF6P		ИМС памяти Flash 64МВ, SPI	NUMONYX
		M25P64-VMF6P		ИМС памяти Flash 64МВ, SPI	ФИЛИППИНЫ
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ON SEMICONDUCTOR
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	FAIR
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	MOTOROLA
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ST MICROELECTRONICS
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...			40.56
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	MOTOROLA	17
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ON SEMICONDUCTOR
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	STMicroelectronics
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	FAIRCHILD
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	FAIRCHILD
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	США
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ИНДИЯ
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ST MICROELECTRO
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ON SEMI/FAIRCH
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ONSEMICONDUCTOR
		TDA1517		Микросхема	NXP
		TDA1517		Микросхема	PHILIPS	8	178.50
		TDA1517		Микросхема		1	151.20
		TDA1517		Микросхема	PHILIPS
		TDA1517		Микросхема	NXP
		TDA1517		Микросхема	КИТАЙ
		TDA1517		Микросхема	1
		TDA16846(P)		Микросхема SMPS упpавление MOSFET, F=00 kHz	INFINEON
		TDA16846(P)		Микросхема SMPS упpавление MOSFET, F=00 kHz			119.44
		TDA16846(P)		Микросхема SMPS упpавление MOSFET, F=00 kHz	ГЕРМАНИЯ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"