2SK3569

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2SK3569	4	476.28
2SK3569 (TOS)	84	85.45

Версия для печати

Технические характеристики 2SK3569

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	750 mOhm @ 5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	42nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1500pF @ 25V
Power - Max	45W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220 (SIS)
Корпус	TO-220SIS

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2SK3569

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

2SK3569 datasheet
153.17Kb
6стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
150МКФ 250 (34Х80,5%)
BFG540,215		NXP Semiconductors
BFG540,215		NXP
BFG540,215
SY025M0220B3F-0811	Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 25 В	YAGEO
SY025M0220B3F-0811	Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 25 В
TEA1552T		PHILIPS
TEA1552T		PHILIPS	1
TEA1552T		NXP	104	141.72
TEA1552T