|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AD680JTZ |
|
Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD680JTZ |
|
Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
AD680JTZ |
|
Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92
|
|
|
|
|
|
|
AD680JTZ |
|
Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD680JTZ |
|
Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD680JTZ |
|
Источник опорного напряжения 2.5В +10мВ, <30ppm/°C, TO-92
|
|
|
|
|
|
|
AT28C256-15PC |
|
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
AT28C256-15PC |
|
|
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
|
|
230.96
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
ST1
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
S216S02 |
|
Твердотельное реле в корпусе SIP-4, с переходом через ноль, SSR+ZCD, 4kV, 600V, 16A, 50mA
|
SHARP
|
|
|
|
|
|
S216S02 |
|
Твердотельное реле в корпусе SIP-4, с переходом через ноль, SSR+ZCD, 4kV, 600V, 16A, 50mA
|
|
|
558.00
|
|
|
|
S216S02 |
|
Твердотельное реле в корпусе SIP-4, с переходом через ноль, SSR+ZCD, 4kV, 600V, 16A, 50mA
|
Sharp Microelectronics
|
|
|
|
|
|
S216S02 |
|
Твердотельное реле в корпусе SIP-4, с переходом через ноль, SSR+ZCD, 4kV, 600V, 16A, 50mA
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
К1156ЕН5ВП |
|
Регулируемый ЛСН с низким Uпдмин. Uвх.max=26В, Uвых.=1.5-15В, Iн=0.5А, Uпдмин.=0.6В.
|
НТЦ СИТ
|
|
|
|
|
|
К1156ЕН5ВП |
|
Регулируемый ЛСН с низким Uпдмин. Uвх.max=26В, Uвых.=1.5-15В, Iн=0.5А, Uпдмин.=0.6В.
|
СИТ
|
|
|
|
|
|
К1156ЕН5ВП |
|
Регулируемый ЛСН с низким Uпдмин. Uвх.max=26В, Uвых.=1.5-15В, Iн=0.5А, Uпдмин.=0.6В.
|
|
1
|
79.20
|
|
|
|
К1156ЕН5ВП |
|
Регулируемый ЛСН с низким Uпдмин. Uвх.max=26В, Uвых.=1.5-15В, Iн=0.5А, Uпдмин.=0.6В.
|
НТЦ
|
|
|
|