AD8554ARZ


4 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 МГц, 0,4 В/мкс, Uсм = 0,001 мВ, 0,005 мкВ/°С, 42 нВ/VГц, Iвх = 0,01 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 0,85 мА, Uп = 2,7..6 В, -40..+125°C

Купить AD8554ARZ ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
AD8554ARZ 4 ОУ КМОП с автокоррекцией, вх./вых. размах до... 4 ОУ КМОП с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 МГц, 0,4 В/мкс, Uсм = 0,001 мВ, 0,005 мкВ/°С, 42 нВ/VГц, Iвх = 0,01 нА, Iвых = 30 мА, Iп = 0,85 мА, Uп = 2,7...6 В, -40...+125°C, SOIC14 без свинца.
Версия для печати

Технические характеристики AD8554ARZ

Корпус14-SOIC
Корпус (размер)14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажаПоверхностный
Рабочая температура-40°C ~ 125°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)2.7 V ~ 5.5 V
Ток выходной / канал30mA
Ток выходной850µA
Напряжение входного смещения1000µV
Ток - входного смещения10pA
Полоса пропускания1.5MHz
Скорость нарастания выходного напряжения0.4 V/µs
Тип выходаRail-to-Rail
Число каналов4
Тип усилителяChopper (Zero-Drift)
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Output TypeRail-to-Rail
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    BAS316/T1     NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BAS316/T1     NEXPERIA Заказ радиодеталей цена радиодетали
CD4011BE Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс   ST MICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
CD4011BE Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс   TEXAS INSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
CD4011BE Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс     54 60.48 
CD4011BE Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс   TEXAS INSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
CD4011BE Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс   TEXAS 2 054 50.75 
CD4011BE Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс   TEXAS INSTRUMEN Заказ радиодеталей цена радиодетали
CD4011BE Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс   HGSEMI 2 769 13.44 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А     40 800 3.60 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   HOTTECH 273 240 2.90 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   HUASHUO 24 510 5.26 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   YOUTAI 116 288 2.86 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   UMW 8 800 3.10 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   SUNTAN 31 772 8.53 
    MSP430F249TPM     TEXAS INSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MSP430F249TPM       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MSP430F249TPM     TEXAS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MSP430F249TPM     ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ315Г ЖЕЛТ. Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В     Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ315Г ЖЕЛТ. Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В   НАЛЬЧИК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ315Г ЖЕЛТ. Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В   КВАРЦИТ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ315Г ЖЕЛТ. Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В   ТОМСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход