BCW66H

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BCW66H		5.72

Версия для печати

Технические характеристики BCW66H

Корпус	SOT-23-3
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажа	Поверхностный
Frequency - Transition	100MHz
Power - Max	330mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	250 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max)	20nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Current - Collector (Ic) (Max)	800mA
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BCW 65

NPN Silicon AF Transistors (For general AF applications High current gain)

Также в этом файле: BCW 66H

Производитель:
Siemens Semiconductor Group
//www.infineon.com

BCW66H datasheet
137.97Kb
6стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BCW68H	Транзистор биполярный SMD PNP 45V 0,8A 0,33W B:250-630	INFINEON
BCW68H	Транзистор биполярный SMD PNP 45V 0,8A 0,33W B:250-630			5.72
BCW68H	Транзистор биполярный SMD PNP 45V 0,8A 0,33W B:250-630	КИТАЙ
BCW68H	Транзистор биполярный SMD PNP 45V 0,8A 0,33W B:250-630	МАЛАЙЗИЯ
DAN217		ROHM
DAN217		ROHM	573
TOP242Y	ИМС питания	POWER INTEGRATIONS
TOP242Y	ИМС питания			882.80
TOP242Y	ИМС питания	POWER INTEGRATIONS
КЛЕЙ-РАСПЛАВ ДЛЯ ТЕРМОКЛ.ПИСТ. D=11-12ММ (УП 10ШТ)				364.00