|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ADUM1301ARWZ |
|
Цифровой изолятор, 3 канала, пр/обр канал=2/1, 1M бит/с, макс.задержка 100нс, изоляция ...
|
ANALOG DEVICES
|
1 332
|
183.14
|
|
|
|
ADUM1301ARWZ |
|
Цифровой изолятор, 3 канала, пр/обр канал=2/1, 1M бит/с, макс.задержка 100нс, изоляция ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADUM1301ARWZ |
|
Цифровой изолятор, 3 канала, пр/обр канал=2/1, 1M бит/с, макс.задержка 100нс, изоляция ...
|
|
|
710.40
|
|
|
|
ADUM1301ARWZ |
|
Цифровой изолятор, 3 канала, пр/обр канал=2/1, 1M бит/с, макс.задержка 100нс, изоляция ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADUM1301ARWZ |
|
Цифровой изолятор, 3 канала, пр/обр канал=2/1, 1M бит/с, макс.задержка 100нс, изоляция ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
ADUM1301ARWZ |
|
Цифровой изолятор, 3 канала, пр/обр канал=2/1, 1M бит/с, макс.задержка 100нс, изоляция ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ADUM1301ARWZ |
|
Цифровой изолятор, 3 канала, пр/обр канал=2/1, 1M бит/с, макс.задержка 100нс, изоляция ...
|
ANALOG DEVICES
|
12
|
|
|
|
|
ADUM1301ARWZ |
|
Цифровой изолятор, 3 канала, пр/обр канал=2/1, 1M бит/с, макс.задержка 100нс, изоляция ...
|
AD1
|
|
|
|
|
|
KLS7-TS3608-5.0-180-T |
|
|
KLS
|
|
|
|
|
|
KLS7-TS3608-5.0-180-T |
|
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
12
|
2.85
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONS
|
2 320
|
7.87
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
|
|
7.20
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 003
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
0.00
|
|
|
|
|
|
SDR0604-2R2ML |
|
Индуктивность 2, 2 мкГн SMD
|
BOURNS
|
160
|
49.55
|
|
|
|
SDR0604-2R2ML |
|
Индуктивность 2, 2 мкГн SMD
|
|
|
96.00
|
|
|
|
SDR0604-2R2ML |
|
Индуктивность 2, 2 мкГн SMD
|
ВОURNS
|
216
|
38.38
|
|
|
|
К1274СП29П |
|
|
|
|
|
|
|
|
К1274СП29П |
|
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
К1274СП29П |
|
|
МИНСК
|
3 419
|
32.00
|
|
|
|
К1274СП29П |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
26
|
35.70
|
|
|
|
К1274СП29П |
|
|
|
|
|
|