Версия для печати
Технические характеристики CC1206KKX7R9BB224

Температурный коэфициент	X7R
Номинальное напряжение	50 В
Емкость	0.22 мкФ
Серия	CC_1206
Корпус (размер)	1206
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Керамический

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP	2 904	2.10
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DC COMPONENTS	20 449	2.43
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DIOTEC	19 254	3.36
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ES
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS	486
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	STMicroelectronics
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	КИТАЙ
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	INFINEON TECH
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY ME
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	HOTTECH	485 768	1.66  >100 шт.   0.83
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...		57 726	1.52  >100 шт.   0.76
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	LRC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KLS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KOME	1	1.65
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	SUNTAN	9 889	1.68  >100 шт.   0.84
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YANGJIE (YJ)
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NEX-NXP	112	3.10
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YJ	185 307	1.03
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	TRR	79 200	1.47  >500 шт.   0.49
		CC1206KKX7R9BB105		Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ, X7R, (10%), 1206, 50В	YAGEO	515 098	1.73
		CC1206KKX7R9BB105		Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ, X7R, (10%), 1206, 50В			33.48
		CC1206KKX7R9BB105		Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ, X7R, (10%), 1206, 50В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		CC1206KKX7R9BB105		Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ, X7R, (10%), 1206, 50В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		CC1206KKX7RBBB103		Керамический конденсатор 0.01мкФ, 10% , 500В, X7R, 1206	YAGEO	119 347	1.15
		CC1206KKX7RBBB103		Керамический конденсатор 0.01мкФ, 10% , 500В, X7R, 1206
		CC1206KKX7RBBB103		Керамический конденсатор 0.01мкФ, 10% , 500В, X7R, 1206	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		CC1206KKX7RBBB103		Керамический конденсатор 0.01мкФ, 10% , 500В, X7R, 1206	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		RC1206JR-0720KL			YAGEO	575 299	0.63  >500 шт.   0.21
		RC1206JR-0720KL			YAGEO
		RC1206JR-0720KL
		US1D			DIC
		US1D			SMK	104	7.55
		US1D			GENERAL SEMICONDUCTOR
		US1D			LITE ON OPTOELECTRONICS
		US1D			DC COMPONENTS	11 628	3.53
		US1D			DIOTEC
		US1D			SEMICRON
		US1D				14 400	1.86  >100 шт.   0.93
		US1D			GENERAL SEMICONDUCTOR	4 400
		US1D			LITE ON OPTOELECTRONICS
		US1D			YJ	87 737	1.65
		US1D			КИТАЙ
		US1D			MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		US1D			HOTTECH	158 198	1.03
		US1D			PANJIT	336	7.45
		US1D			SUNTAN	48	1.70
		US1D			YANGJIE
		US1D			YANGJIE (YJ)
		US1D			ASEMI	80	1.31
		US1D			SUNMATE	14 976	1.82  >100 шт.   0.91

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"