IR2104S


Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс

Купить IR2104S по цене 193.80 руб.  (без НДС 20%)
IR2104S  Драйвер высоковольтных, высокоскоростных...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
IR2104S (INTERNATIONAL RECTIFIER) 80 193.80 
IR2104S 4 152.40 
IR2104S (FULIHAO TECH) 2 880 108.24 
IR2104S (FULIHAO) 314 92.51 

Драйвер высоковольтных, высокоскоростных МОП-транзисторов или IGBT-транзисторов с зависимыми выходными каналами нижнего и верхнего уровней. Собственная HVIC-технология и стойкая к защелкиванию КМОП-технология позволили создать монолитную конструкцию.
Логический вход совместим с стандартными КМОП или LSTTL выходом. Выходы драйверов отличаются высоким импульсным током буферного каскада, что выполнено для минимизации встречной проводимости драйвера. Выходной канал может быть использован для управления N-канальным силовым МОП-транзистором или IGBT-транзистором с напряжением питания верхнего уровня 10…600В.
Отличительные особенности:
Управляющие каналы разработаны для нагруженного функционированияполностью работоспособны до +600В
Нечувствителен к отрицательным напряжениям при переходных процессах
Стойкость к скорости нарастания напряжения (dV/dt)
Диапазон напряжения питания драйверов 10…20В
Блокировка при снижении напряжения 5В
входная логика с триггерами Шмита
Логика предотвращения поперечной проводимости
Согласованная задержка распространения для обоих каналов
Внутренне установленная пауза при переключении каналов
Выход драйвера верхнего уровня в фазе со входом
Вход выключения прекращает работу обоих каналов
Напряжение смещения VOFFSET не более 600В
Имп.вых. ток к.з Iо± 130 мА/ 270 мА
Выходное напряжение драйверов VOUT 10 – 20В
Время вкл./выкл. 680/150 нс
Пауза 520 нс

Версия для печати

Технические характеристики IR2104S

Корпус8-SOICN
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажаПоверхностный
Рабочая температура-40°C ~ 125°C
Напряжение питания10 V ~ 20 V
Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка)600V
Число выходов2
Число конфигураций1
Ток пиковое значение210mA
Время задержки680ns
Тип входаNon-Inverting
КонфигурацияHalf Bridge
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IR2104 (Интерфейсы и соединения)

High and Low Side Driver

Также в этом файле: IR2104S

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IR2104S datasheet
205.08Kb
15стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
IR2104 Драйвер полумостовой Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IR2104 Драйвер полумостовой Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс     Заказ радиодеталей 112.80 
IR2104 Драйвер полумостовой Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс   ФИЛИППИНЫ Заказ радиодеталей цена радиодетали
IR2104 Драйвер полумостовой Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF530N Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF530N Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF530N Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W     3 940 25.99 
IRF530N Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF530N Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W   МЕКСИКА Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF530N Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W   INTERNATIONAL RECTIFIER 26 цена радиодетали
IRF530N Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF530N Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF530N Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W   JSMICRO 1 040 32.34 
    PIC18F2320-I/SO 4Kx16 Flash 25I/O 40MHz     1 528.00 
    PIC18F2320-I/SO 4Kx16 Flash 25I/O 40MHz   MICRO CHIP Заказ радиодеталей цена радиодетали
    PIC18F2320-I/SO 4Kx16 Flash 25I/O 40MHz   Microchip Technology Заказ радиодеталей цена радиодетали
    PIC18F2320-I/SO 4Kx16 Flash 25I/O 40MHz   MICRO CHIP 5 цена радиодетали
US1M Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс   DC COMPONENTS 159 681 4.47 
US1M Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс   DIC Заказ радиодеталей цена радиодетали
US1M Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс   MASTER INSTRUMENT CO Заказ радиодеталей цена радиодетали
US1M Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс   SMK Заказ радиодеталей цена радиодетали
US1M Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс   DIOTEC 10 628 7.29 
US1M Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс   SEMICRON Заказ радиодеталей цена радиодетали
US1M Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс   GENERAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
US1M Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс   DIOTEC SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
US1M Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс   GALAXY Заказ радиодеталей цена радиодетали
US1M Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс   DIOTEC SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
US1M Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс   GENERAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
US1M Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
US1M Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс   MIC 15 391 1.21 
US1M Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс   SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD Заказ радиодеталей цена радиодетали
US1M Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
US1M Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс   ТАИЛАНД Заказ радиодеталей цена радиодетали
US1M Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс   YJ 993 039 1.43 
US1M Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс     16 9.60 
US1M Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс   GALAXY ME Заказ радиодеталей цена радиодетали
US1M Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс   LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP Заказ радиодеталей цена радиодетали
US1M Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс   HOTTECH 306 856 1.25 
US1M Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс   KLS 4 1.85 
US1M Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс   SEMTECH 8 8.81 
US1M Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс   TOS Заказ радиодеталей цена радиодетали
US1M Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс   YANGJIE (YJ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
US1M Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс   0.00 Заказ радиодеталей цена радиодетали
US1M Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс   YOUTAI 138 096 1.10 
US1M Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс   KOME 8 000 1.78 
>100 шт.   0.89 
US1M Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс   YANGJIE 364 000 1.84 
US1M Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс   CJ 4 392 2.54 
US1M Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс   JINGDAO 2 547 2.16 
US1M Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс   TRR 188 000 1.58 
>100 шт.   0.79 
    ZTT-10MHZ     SJK Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ZTT-10MHZ       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ZTT-10MHZ     SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход