Версия для печати
Технические характеристики IR2127S

Корпус	8-SOICN
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Напряжение питания	12 V ~ 20 V
Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка)	600V
Число выходов	1
Число конфигураций	1
Ток пиковое значение	250mA
Время задержки	200ns
Тип входа	Non-Inverting
Конфигурация	High-Side
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

IR21271 (Дискретные сигналы) CURRENT SENSING SINGLE CHANNEL DRIVER Также в этом файле: IR2127S Производитель: International Rectifier //www.irf.com IR2127S datasheet 149.65Kb 15стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Драйверы MOSFET (внешнее переключение)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ATTINY13A-SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер Pico Power (1K ISP Flash, 64 bytes EEPROM, 64 bytes ...	ATMEL	3 536	137.82
		ATTINY13A-SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер Pico Power (1K ISP Flash, 64 bytes EEPROM, 64 bytes ...		3 311	107.10
		ATTINY13A-SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер Pico Power (1K ISP Flash, 64 bytes EEPROM, 64 bytes ...	США
		ATTINY13A-SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер Pico Power (1K ISP Flash, 64 bytes EEPROM, 64 bytes ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		ATTINY13A-SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер Pico Power (1K ISP Flash, 64 bytes EEPROM, 64 bytes ...	ATMEL CORPORATION
		ATTINY13A-SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер Pico Power (1K ISP Flash, 64 bytes EEPROM, 64 bytes ...	MICRO CHIP	12 638	124.80
		ATTINY13A-SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер Pico Power (1K ISP Flash, 64 bytes EEPROM, 64 bytes ...	4-7 НЕДЕЛЬ	370
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP	2 904	2.10
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DC COMPONENTS	20 449	2.47
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DIOTEC	19 254	3.41
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ES
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS	486
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	STMicroelectronics
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	КИТАЙ
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	INFINEON TECH
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY ME
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	HOTTECH	481 107	1.68  >100 шт.   0.84
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...		57 726	1.52  >100 шт.   0.76
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	LRC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KLS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KOME	1	1.66
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	SUNTAN	11 443	1.68  >100 шт.   0.84
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YANGJIE (YJ)
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NEX-NXP	112	3.10
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YJ	141 947	1.03
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	TRR	79 200	1.47  >500 шт.   0.49
		BPW96C		Фототранзистор 5мм 620.980 нм	VISHAY	8 084	53.29
		BPW96C		Фототранзистор 5мм 620.980 нм
		K1010C (KP1010C)			COSMO
		P6AU-1205ELF		DC/DC преобразователь мощностью 1 Вт, вход 10,8:13,2В, выход 5В/200мА, изоляция 1000В ...	PEAK ELECTRONICS
		P6AU-1205ELF		DC/DC преобразователь мощностью 1 Вт, вход 10,8:13,2В, выход 5В/200мА, изоляция 1000В ...			416.00
		P6AU-1205ELF		DC/DC преобразователь мощностью 1 Вт, вход 10,8:13,2В, выход 5В/200мА, изоляция 1000В ...	PEAK	90	720.72

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"