IRF1407

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF1407	1 592	84.22

Версия для печати

Технические характеристики IRF1407

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.8 mOhm @ 78A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	100A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	250nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5600pF @ 25V
Power - Max	3.8W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус	TO-262

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF1407 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF1407 datasheet
132 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
LM2585S-ADJ		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM2585S-ADJ		NSC
LM2585S-ADJ				900.00
LM2585S-ADJ		TEXAS INSTRUMENTS
LM2585S-ADJ		NSC1
LM317D2T	Микросхема регулятор напряжения 1.2-37V	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM317D2T	Микросхема регулятор напряжения 1.2-37V	ST MICROELECTRONICS	80	58.59
LM317D2T	Микросхема регулятор напряжения 1.2-37V	ON SEMICONDUCTOR	52	58.59
LM317D2T	Микросхема регулятор напряжения 1.2-37V		6	48.00
LM317D2T	Микросхема регулятор напряжения 1.2-37V	ON SEMICONDUCTOR
LM317D2T	Микросхема регулятор напряжения 1.2-37V	ST MICROELECTRONICS SEMI	30
MAL210147474E3	Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мФ 40 В	VISHAY
КД209А	Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А		3 566	3.78
КД209А	Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А	ТАШКЕНТ
КД209А	Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А	RUS
КД209А	Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А	СЗТП	5	16.53
КД209А	Кремниевый диод средней мощности 400В, 1кГц, 0,7А	РОССИЯ	10	4.72