|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 82A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 106A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 220nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5310pF @ 25V |
Power - Max | 200W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
Корпус | TO-262 |
IRF3808L (Дискретные сигналы) HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRF3808S
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1МКФ 50В (5X11) 105°C | Электролитический алюминиевый конденсатор 1 мкФ 50В | CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS | ||||||
1МКФ 50В (5X11) 105°C | Электролитический алюминиевый конденсатор 1 мкФ 50В | 4.80 | ||||||
2200МКФ 35В (16X32, АКС) | Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 35В | CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS | ||||||
2200МКФ 35В (16X32, АКС) | Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 35В | 92.00 | ||||||
IRLB3813 | INTERNATIONAL RECTIFIER | |||||||
IRLB3813 | 129.32 | |||||||
IRLB3813 | INFINEON | |||||||
MAC-1 Д/С 160Х100 ММ МАКЕТНАЯ ПЛАТА | 820.00 | |||||||
ЖЕЛЕЗО ХЛОРНОЕ 250 ГР |
|