Версия для печати
Технические характеристики IRF5305

FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	31A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	63nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1200pF @ 25V
Power - Max	3.8W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус	TO-262

IRF5305S (P-канальные транзисторные модули) 55V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRF5305S Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRF5305 datasheet 172.94Kb 10стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		VS-150EBU04		Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс	VISHAY	3 040	594.73
		VS-150EBU04		Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс		48	654.19
		VS-150EBU04		Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс	VISHAY/IR
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	84.15
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	VISHAY
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	INTERSIL
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	ON SEMICONDUCTOR
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	SILICONIX
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...		3	70.40
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	1
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	ON SEMICONDUCTOR
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	SILICONIX
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	Vishay/Siliconix
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	STMicroelectronics
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	КИТАЙ
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	VISHAY/IR
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	ST MICROELECTRONICS
		SK050M0470B5S-1019		Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 50 В	YAGEO
		SK050M0470B5S-1019		Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 50 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SK050M0470B5S-1019		Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 50 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		WH1602A-TMI-CT			WINSTAR
		WH1602A-TMI-CT
		КТ817Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный		854	26.25
		КТ817Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	1 600	35.70
		КТ817Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	МИНСК	57	20.00
		КТ817Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	16 845	30.00
		КТ817Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	RUS
		КТ817Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"