|
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 3.2A, 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.7A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 50nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1500pF @ 15V |
Power - Max | 2.5W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SO |
IRF7404 Hexfet Power Mosfet
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CM453232-100KL | ЧИП индуктивность 10мкГн, корп 1812 | BOURNS | ||||||
CM453232-100KL | ЧИП индуктивность 10мкГн, корп 1812 | 49.16 | ||||||
MF-2 91 5% | ||||||||
MMBT5551LT1G | ON SEMICONDUCTOR | 140 | 1.60 | |||||
MMBT5551LT1G | ONS | |||||||
MMBT5551LT1G | ON SEMICONDUCTOR | 5 108 | ||||||
MMBT5551LT1G | 320 | 1.05 | ||||||
MMBT5551LT1G | ON SEMICONDUCTO | |||||||
MMBT5551LT1G | ONSEMICONDUCTOR | |||||||
MMBT5551LT1G | SEMTECH | |||||||
SQP-5W-100 5% | Резистор постоянный керамический прямоугольный | TAIWAN | ||||||
SQP-5W-100 5% | Резистор постоянный керамический прямоугольный | 12.68 | ||||||
РС7ТВ ВИЛКА Б/К |
|