IRFB33N15D
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 20A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 33A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2020pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFB33N15D (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
0805 X7R 0.1UF 50V 10% (К10-17 0.1МКФ) |
|
Конденсатор чип 50В, 0,1мкФ, 10%, X7R |
|
|
|||
|
|
LT1074HVIT | LINEAR TECHNOLOGY |
|
|
||||
|
|
LT1074HVIT | LTC |
|
|
||||
|
|
LT1074HVIT | LT |
|
|
||||
|
|
LT1074HVIT |
|
2 060.00 | |||||
|
|
LT1074HVIT | LINEAR TECHNOLOGY | 5 |
|
||||
|
|
LT1074HVIT | AD-LTC |
|
|
||||
 |
|
SE555DR |
|
Texas Instruments |
|
|
||
|
|
|
SE555DR |
|
|
|
|||
|
|
|
SE555DR |
|
TEXAS |
|
|
||
|
|
SE555P |
|
Таймер (TTL-Compatible Output, Vtres=10.6V@Vcc=15V, T=–55°C to 125°C) | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||
|
|
SE555P |
|
Таймер (TTL-Compatible Output, Vtres=10.6V@Vcc=15V, T=–55°C to 125°C) | TEXAS |
|
|
||
|
|
SE555P |
|
Таймер (TTL-Compatible Output, Vtres=10.6V@Vcc=15V, T=–55°C to 125°C) | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||
|
|
SE555P |
|
Таймер (TTL-Compatible Output, Vtres=10.6V@Vcc=15V, T=–55°C to 125°C) | МЕКСИКА |
|
|
||
|
|
SE555P |
|
Таймер (TTL-Compatible Output, Vtres=10.6V@Vcc=15V, T=–55°C to 125°C) |
|
110.40 | |||
 |
РГ1Н-2-25 | 25 | 52.80 | |||||
|
|
РГ1Н-2-25 | КОМ |
|
|
||||
|
|
РГ1Н-2-25 | RUS |
|
|
