IRFP3710
N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R, P=200W, -55 to +175C)
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 28A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 57A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 190nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3000pF @ 25V |
| Power - Max | 200W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
| Корпус | TO-247AC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFP3710 (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
