![]() |
|
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 3.6A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.1A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 190nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2800pF @ 25V |
Power - Max | 190W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-247-3 |
Корпус | TO-247-3 |
IRFPG50 (N-канальные транзисторные модули) Power Mosfet
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SK1365 |
![]() |
Транзистор N-MOS 1000В 7A TO3P-IS | TOSHIBA |
![]() |
![]() |
|||
2SK1365 |
![]() |
Транзистор N-MOS 1000В 7A TO3P-IS | TOS |
![]() |
![]() |
|||
2SK1365 |
![]() |
Транзистор N-MOS 1000В 7A TO3P-IS |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
![]() |
DHRB34C221M2BB |
![]() |
Конденсатор дисковый высоковольтный 15кВ, 220пф | MURATA |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
DHRB34C221M2BB |
![]() |
Конденсатор дисковый высоковольтный 15кВ, 220пф |
![]() |
44.32 | ||
![]() |
![]() |
DHRB34C221M2BB |
![]() |
Конденсатор дисковый высоковольтный 15кВ, 220пф | MUR |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
STW26NM60 |
![]() |
N-Ch 600V 26A 313W 0,125R | ST MICROELECTRONICS |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
STW26NM60 |
![]() |
N-Ch 600V 26A 313W 0,125R | STMicroelectronics |
![]() |
![]() |
|
К78-2-1000-0.056 10% |
![]() |
Плёночный конденсатор 0.056 мкФ 1000 В |
![]() |
53.20 | ||||
К78-2-1000-0.056 10% |
![]() |
Плёночный конденсатор 0.056 мкФ 1000 В | ПОЛИКОНД |
![]() |
![]() |
|||
ТВС-110Л3 | 1 | 1 932.00 | ||||||
ТВС-110Л3 | 1 | 1 932.00 |
|
Корзина
|