IRFU9120N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFU9120N		127.96

Версия для печати

Технические характеристики IRFU9120N

FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	480 mOhm @ 3.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	27nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	350pF @ 25V
Power - Max	40W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Корпус	I-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFR9120N

100V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package

Также в этом файле: IRFU9120N

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFU9120N datasheet
119.3Kb
10стр.