![]() |
|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 29A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 48A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1360pF @ 25V |
Power - Max | 110W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
IRFZ44E (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
![]() | R19A-22BBBT РљРѕРСВВР В Р’В Р РЋР’ВСѓС‚РСвЂВСЂСѓРµРСВВый ток / напряженРСвЂВР В Р’Вµ 6A 250V AC (standard), 12A 250V AC РЎРѕРїСЂРѕС‚РСвЂВвленРСвЂВР В Р’Вµ контактов/ Р В Р’В Р РЋРІР‚ВзоляцРСвЂВР С†?20 mOm / ?1000 MOm РљРѕР»РСвЂВчество РєРѕРСВВР В Р’В Р РЋР’ВутацРСвЂВР в„– / нара... 38.00 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВть |
![]() | Р В РІР‚в„ўР В РЎв„ў-50-21-02110, ЧЕРН. 2Р РџСЂРСвЂВР В Р’В Р РЋР’Веняются впультах управленРСвЂВР РЋР РЏ, электрошкафах РїРѕРТвЂВРІРСвЂВжных РцстацРСвЂВонарных электроустановок РІРїСЂРѕРСВВышленноРѠРѕР±РѕСЂСѓРТвЂВованРСвЂВРцРцРЅР° объектах электроэнергетРСвЂВРєРСвЂВ.... 230.12 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВть |
![]() | STR451 SMPS РљСѓРїРСвЂВть |
|
Корзина
|