IRG4BC20SD
Транзистор IGBT модуль единичный
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
IRG4BC20SD |
 |
283.08
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики IRG4BC20SD
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 10A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 19A |
| Power - Max | 60W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
IRG4BC20SD-S (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором))
Insulated Gate Bipolar Transistor
Производитель:
International Rectifier
|
