![]() |
|
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 60A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 116A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 60nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3290pF @ 25V |
Power - Max | 180W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
IRL2203NL (N-канальные транзисторные модули) Power MOSFET (Vdss=30V, Rds (on) =7.0mohm, Id=116AРЃРЅ) Также в этом файле: IRL2203NS
Производитель:
|
![]() | FDD25-03S1 Dc/dc конвертер серии fdd25 мощностью 20 ваттОсобенности: Низкая цена Широкий диапазон входных напряжений 2:1 Напряжение изоляции вход/выход 1500... Купить |
![]() | AD628AR Инструментальный усилитель, Ind Купить |
![]() | HDSP-3906 Семисегментный светодиодный индикатор переполнения, высота символа 20.32 мм (0.8") Купить |
|
Корзина
|