IRL530N
Транзистор полевой N-канальный 100В 17A logic
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 9A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 17A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 34nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 800pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRL530NS 100V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRL530NL, IRL530NSTRL, IRL530NSTRR
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SRR1208-330YL |
|
Индуктивность экранированная 33мкГн SMD | BOURNS |
|
|
||
|
|
SRR1208-330YL |
|
Индуктивность экранированная 33мкГн SMD |
|
172.00 | |||
|
|
SRR1208-330YL |
|
Индуктивность экранированная 33мкГн SMD | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
SRR1208-330YL |
|
Индуктивность экранированная 33мкГн SMD | ВОURNS |
|
|
