IRL540NS
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 18A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 36A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 74nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRL540NS (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IRF7822 |
|
Транзистор полевой SMD | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF7822 |
|
Транзистор полевой SMD |
|
75.96 | ||
 |
|
IRL540NL |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
 |
|
IRLR120N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRLR120N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | 40 | 58.24 | ||
|
|
|
IRLR120N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | INFINEON |
|
|
|
| KG-63-15000 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 15000мкФ, 63В | TREC |
|
|
|||
| KG-63-15000 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 15000мкФ, 63В |
|
336.44 | ||||
| KG-63-15000 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 15000мкФ, 63В | КИТАЙ |
|
|
|||
| ТСО142-40-7 | 9 | 567.00 |
