FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS non-compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 4.7A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 19A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 740pF @ 50V |
Power - Max | 39W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 Full Pack |
Корпус | TO-220AB Full-Pak |
IRLIB4343 (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLIB9343 | Транзистор полевой P-канальный MOSFET (55V, 14A, 33W (Logic-Level) | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRLIB9343 | Транзистор полевой P-канальный MOSFET (55V, 14A, 33W (Logic-Level) | 208.28 | ||||||
IRLIB9343 | Транзистор полевой P-канальный MOSFET (55V, 14A, 33W (Logic-Level) | INFINEON | ||||||
SR1100 (1A 100V) | ||||||||
SR510 (5A 100V) | ||||||||
КП508А | Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и ... | 32.00 | ||||||
КП508А | Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и ... | МИНСК | 2 209 | 32.00 | ||||
КП508А | Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и ... | ИНТЕГРАЛ |
|