IRLR2703

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRLR2703		60.00

Версия для печати

Технические характеристики IRLR2703

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 14A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	23A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	15nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	450pF @ 25V
Power - Max	45W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLR2703 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRLR2703 datasheet
313.7 Кб