Версия для печати
Технические характеристики JNR13S500L

Тип	JNR
Область применения	Ограничение пусковых токов
Конструктивное исполнение	Диск
Сопротивление при 25 грд.С, Ом	50
Точность, %	15
Максимальный рабочий ток, А	2
Диаметр корпуса, мм	13

Нелинейный терморезистор 50Ом, 15%, 2А JNR13S500L datasheet 9,59MB 20стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Датчики, сенсоры

 » 

Датчики температуры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		25В-2200 МКФ
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	DC COMPONENTS	7 631	11.51
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S		2 608	3.41
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YJ	82 400	5.17
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	MIC
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRON
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	КИТАЙ	52	22.68
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRONICS
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KLS	4 437	18.60
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KOME	876	5.04
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	LGE
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	HOTTECH	136 168	3.89
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE	20 616	5 262.89
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE (YJ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SEP	8	2.64
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ASEMI	6	6.12
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSCJ	280	8.94
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KUU	47 702	1.94
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	RUME	26 400	2 608.20
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	TRR	38 400	2 755.62
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSMICRO	59 472	3.55
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	8	7.57
		ВИНТ М2.5Х20 (25ШТ.) П/К					96.00
		ГАЙКА М6.0 (20ШТ.)					92.84
		ПРИПОЙ ПОС63 1.0ММ 0.25КГ БЕЗ ФЛЮСА			ASAHI

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"