Версия для печати
Технические характеристики KCSA04-107

Цвет	Желтый (InGaAlP)
Высота символа,мм	10.16
Дес. точка	Справа
Конфигурация	Общий анод
Цвет лицевой панели	Серый
IF (тип.),мА	20
	590
IV,мКд	от 12 до 49
F">VF (тип.),В	2
Размер,мм	9.10x15.0x3.75
Кол-во символов,шт	1

KCSA04-107 (Сегментные) 7-сегментный светодиодный индикатор с высотой символа 10.16мм (0.4 дюйма) Производитель: Kingbright KCSA04-107 datasheet 134 Кб

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LESHAN RADIO COMPANY
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS	33 386	3.19
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		3 614	1.97
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LESHAN RADIO COMPANY, LTD
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR	11 847
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTO
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMICONDUCTOR
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMI
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FUXIN	55 352	1.60  >100 шт.   0.80
		IRLML2502TRPBF		N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML2502TRPBF		N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)	INTERNATIONAL RECTIFIER	2 324
		IRLML2502TRPBF		N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)	INFINEON	98 622	10.09
		IRLML2502TRPBF		N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)		9 071	8.03
		IRLML2502TRPBF		N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)	INFINEON	532
		IRLML2502TRPBF		N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)	HOTTECH
		IRLML2502TRPBF		N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)	KLS
		IRLML2502TRPBF		N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)	TR
		IRLML2502TRPBF		N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)	TRR	600	4.13
		IRLML6402TRPBF		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6402TRPBF		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	INTERNATIONAL RECTIFIER	48
		IRLML6402TRPBF		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	INFINEON	179 276	9.29
		IRLML6402TRPBF		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А		6 208	7.25
		IRLML6402TRPBF		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	INFINEON
		IRLML6402TRPBF		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	HOTTECH
		IRLML6402TRPBF		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	KLS
		IRLML6402TRPBF		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	TR
		IRLML6402TRPBF		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	TRR	2 560	4.13
		LM809M3-3.08		Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM809M3-3.08		Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))			40.28
		LM809M3-3.08		Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))	NSC
		LM809M3-3.08		Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))	NATIONAL SEMICONDUCTOR	192
		LM809M3-3.08		Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		LM809M3-3.08		Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))	TEXAS INSTRUMENTS
		LM809M3-3.08		Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))	TEXAS
		LM809M3-3.08		Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))	4-7 НЕДЕЛЬ	206
		PIC16F887-I/PT		8Kx14 Flash, 36I/O, 20MHz	MICRO CHIP	1 516	270.00
		PIC16F887-I/PT		8Kx14 Flash, 36I/O, 20MHz		332	224.91
		PIC16F887-I/PT		8Kx14 Flash, 36I/O, 20MHz	MICRO CHIP
		PIC16F887-I/PT		8Kx14 Flash, 36I/O, 20MHz	Microchip Technology
		PIC16F887-I/PT		8Kx14 Flash, 36I/O, 20MHz	MCHIP
		PIC16F887-I/PT		8Kx14 Flash, 36I/O, 20MHz	4-7 НЕДЕЛЬ	696

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"