|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
2 904
|
2.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DC COMPONENTS
|
20 774
|
2.52
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DIOTEC
|
19 349
|
3.36
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ES
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
486
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
HOTTECH
|
380 893
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
|
9 726
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KOME
|
1
|
1.73
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SUNTAN
|
12 025
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NEX-NXP
|
112
|
3.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YJ
|
185 347
|
1.03
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
TRR
|
81 600
|
498.96
|
|
|
|
HS 239-20 |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
HS 239-20 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HS 239-20 |
|
|
KINSTEN
|
|
|
|
|
|
HS 239-20 |
|
|
CJ
|
|
|
|
|
|
HS 239-20 |
|
|
CIXI
|
2 080
|
81.62
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
48
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INFINEON
|
124 095
|
9.66
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
|
6 208
|
7.43
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
TR
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
TRR
|
2 880
|
4.13
|
|
|
|
PIC16F628A-I/P |
|
8- бит микроконтроллер (MCU) 3.5 Кб, 224 RAM, 2Kx14 Flash, 16I/O, 20MHz
|
MICRO CHIP
|
1 969
|
254.25
|
|
|
|
PIC16F628A-I/P |
|
8- бит микроконтроллер (MCU) 3.5 Кб, 224 RAM, 2Kx14 Flash, 16I/O, 20MHz
|
|
214
|
200.03
|
|
|
|
PIC16F628A-I/P |
|
8- бит микроконтроллер (MCU) 3.5 Кб, 224 RAM, 2Kx14 Flash, 16I/O, 20MHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F628A-I/P |
|
8- бит микроконтроллер (MCU) 3.5 Кб, 224 RAM, 2Kx14 Flash, 16I/O, 20MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC16F628A-I/P |
|
8- бит микроконтроллер (MCU) 3.5 Кб, 224 RAM, 2Kx14 Flash, 16I/O, 20MHz
|
MCHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F628A-I/P |
|
8- бит микроконтроллер (MCU) 3.5 Кб, 224 RAM, 2Kx14 Flash, 16I/O, 20MHz
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
SH-085-1М |
|
Резистор переменный регулировочный непроволочный однооборотный
|
|
|
6.96
|
|