Версия для печати
Технические характеристики L6561

Корпус	8-DIP
Корпус (размер)	8-DIP
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	-25°C ~ 125°C
Напряжение питания	11 V ~ 18 V
Current - Startup	50µA
Mode	Discontinuous (Transition)
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

L6561 (Источники питания с широтно-импульсной модуляцией) Power Factor Corrector Также в этом файле: L6561D Производитель: STMicroelectronics //www.st.com L6561 datasheet 117.79Kb 11стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Контроллеры фактора мощности (PFC)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SK3568		N-MOS 500V, 12A, 40W	TOSHIBA
		2SK3568		N-MOS 500V, 12A, 40W			220.00
		2SK3568		N-MOS 500V, 12A, 40W	TOS
		L6598		SMPS драйвер полумостовой с автогенератором (600V, 0.25/0.45A)	ST MICROELECTRONICS
		L6598		SMPS драйвер полумостовой с автогенератором (600V, 0.25/0.45A)			193.24
		L6598		SMPS драйвер полумостовой с автогенератором (600V, 0.25/0.45A)	STMicroelectronics
		L6598		SMPS драйвер полумостовой с автогенератором (600V, 0.25/0.45A)	СИНГАПУР
		L6598		SMPS драйвер полумостовой с автогенератором (600V, 0.25/0.45A)	ST1
		SPP20N60C3		Полевой транзистор 20A 600В 0.19Ом	INFINEON	1	328.76
		SPP20N60C3		Полевой транзистор 20A 600В 0.19Ом			575.64
		SPP20N60C3		Полевой транзистор 20A 600В 0.19Ом	INFINEON
		SPP20N60C3		Полевой транзистор 20A 600В 0.19Ом	Infineon Technologies
		SPP20N60C3		Полевой транзистор 20A 600В 0.19Ом	INFINEON TECH
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...		3 980	48.26
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	STMicroelectronics
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTR
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	КИТАЙ
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRO
		TEA1506T			NXP
		TEA1506T				1	223.20
		TEA1506T				1	223.20
		TEA1506T			PHILIPS
		TEA1506T			1

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"