|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AD8055AR |
|
ОУх1 Быстродейств: 300 МГц, 1400В/мкс, ОС по напряжению
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD8055AR |
|
ОУх1 Быстродейств: 300 МГц, 1400В/мкс, ОС по напряжению
|
|
|
182.48
|
|
|
|
AD8055AR |
|
ОУх1 Быстродейств: 300 МГц, 1400В/мкс, ОС по напряжению
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD8055AR |
|
ОУх1 Быстродейств: 300 МГц, 1400В/мкс, ОС по напряжению
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD8055AR |
|
ОУх1 Быстродейств: 300 МГц, 1400В/мкс, ОС по напряжению
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
473
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
17.01
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
|
|
19.20
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
HOTTECH
|
711 177
|
4.13
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
HUASHUO
|
33 428
|
3.63
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
YOUTAI
|
7 163
|
3.78
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
UMW
|
23 200
|
4.13
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
KEENSIDE
|
547
|
3.69
|
|
|
|
IRLML6244TRPBF |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6244TRPBF |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
306
|
|
|
|
|
IRLML6244TRPBF |
|
|
INFINEON
|
24 888
|
11.04
|
|
|
|
IRLML6244TRPBF |
|
|
|
4 720
|
10.42
|
|
|
|
IRLML6244TRPBF |
|
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML6244TRPBF |
|
|
TR
|
|
|
|
|
|
IRLML6244TRPBF |
|
|
TRR
|
1 520
|
5.17
|
|
|
|
MCP2551-I/SN |
|
|
MICRO CHIP
|
2 372
|
175.64
|
|
|
|
MCP2551-I/SN |
|
|
|
|
223.20
|
|
|
|
MCP2551-I/SN |
|
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
MCP2551-I/SN |
|
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
MCP2551-I/SN |
|
|
MICRO CHIP
|
1
|
|
|
|
|
MCP2551-I/SN |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
268
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
32.13
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
4 384
|
11.88
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
612
|
|
|