|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AD8400AR1 |
|
Цифровой потенциометр, 1кОм, 7 бит, 128 позиций, SPI, 700ppm/°С, 5МГц, 3нВ/VГц, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD8400AR1 |
|
Цифровой потенциометр, 1кОм, 7 бит, 128 позиций, SPI, 700ppm/°С, 5МГц, 3нВ/VГц, ...
|
|
4
|
334.40
|
|
|
|
AD8400AR1 |
|
Цифровой потенциометр, 1кОм, 7 бит, 128 позиций, SPI, 700ppm/°С, 5МГц, 3нВ/VГц, ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD8400AR1 |
|
Цифровой потенциометр, 1кОм, 7 бит, 128 позиций, SPI, 700ppm/°С, 5МГц, 3нВ/VГц, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD8513AR |
|
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD8513AR |
|
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
3 144
|
2.00
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DC COMPONENTS
|
13 884
|
2.86
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DIOTEC
|
15 986
|
2.91
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ES
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
486
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
|
46 846
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KOME
|
1
|
2.02
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SUNTAN
|
17 476
|
1.02
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NEX-NXP
|
112
|
4.92
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YJ
|
189 698
|
1.46
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
TRR
|
2 400
|
1.20
>100 шт. 0.60
|
|
|
|
LM2731YMF/NOPB |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM2731YMF/NOPB |
|
|
National Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM2731YMF/NOPB |
|
|
|
|
|
|
|
|
LM2731YMF/NOPB |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2731YMF/NOPB |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM2731YMF/NOPB |
|
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
LM2731YMF/NOPB |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
WF-2R |
|
Вилка на плату 2.54мм угловая
|
|
|
5.08
|
|
|
|
WF-2R |
|
Вилка на плату 2.54мм угловая
|
HSUAN MAO
|
|
|
|
|
|
WF-2R |
|
Вилка на плату 2.54мм угловая
|
BM
|
|
|
|
|
|
WF-2R |
|
Вилка на плату 2.54мм угловая
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
WF-2R |
|
Вилка на плату 2.54мм угловая
|
KLS
|
|
|
|
|
|
WF-2R |
|
Вилка на плату 2.54мм угловая
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
WF-2R |
|
Вилка на плату 2.54мм угловая
|
NXU
|
|
|
|