Версия для печати
Технические характеристики LG250M0100BPF-2225

Производитель	Yageo Corporation
Допуск емкости	±20%
Номинальное напряжение	250 В
Ток утечки	500 мкА
Тангенс угла диэлектрических потерь	0.15
Максимальный ток пульсаций	0.56 А
Шаг выводов	10 мм
Срок службы	2000 Ч
Размер корпуса	ф 22x25
Рабочая температура	-40...105 °C
	For General
Емкость	100 мкФ
Серия	LG
Корпус (размер)	Snap In
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450		49 276	1.64  >100 шт.   0.82
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP	18 844	2.00
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS	1 648	2.00
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIR
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ITT
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	INFINEON
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DIOTEC	16 356	3.04
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIRCHILD
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GALAXY
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIRCHILD
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ITT
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	OTHER
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS	656
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	MCC
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	КИТАЙ
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DC COMPONENTS	13 701	2.22
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KINGTRON
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SIEMENS
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GALAXY ME
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	HOTTECH	100 240	1.08
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SEMTECH	916	1.51
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	LRC	2 080	1.97
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KLS
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PANJIT	13	1.07
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	YJ	119 064	1.23
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	YANGJIE
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	YANGJIE (YJ)
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	0.00
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	TRR
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SUNTAN	209 973	1.01
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	1
		BC856B		Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	XSEMI	73 920	1.64  >100 шт.   0.82
		SH016M0100BZF-0611		Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 16 В	YAGEO
		SH016M0100BZF-0611		Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 16 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SH016M0100BZF-0611		Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 16 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SH250M0010B5S-1015		Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 250 В	YAGEO
		SH250M0010B5S-1015		Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 250 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SH250M0010B5S-1015		Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 250 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		АЛ307ГМ		Светодиод зеленый, круглый,5мм, 1.5мКд, 2,8В		2 625	11.23
		АЛ307ГМ		Светодиод зеленый, круглый,5мм, 1.5мКд, 2,8В	ПЛАНЕТА СИД
		АЛ307ГМ		Светодиод зеленый, круглый,5мм, 1.5мКд, 2,8В	СТАРТ	864	10.20
		АЛ307ГМ		Светодиод зеленый, круглый,5мм, 1.5мКд, 2,8В	ПРОТОН
		АЛ307ГМ		Светодиод зеленый, круглый,5мм, 1.5мКд, 2,8В	ПЛАНЕТА-СИД	800	14.28
		АЛ307ГМ		Светодиод зеленый, круглый,5мм, 1.5мКд, 2,8В	RUS
		АЛ307ГМ		Светодиод зеленый, круглый,5мм, 1.5мКд, 2,8В	ПЛАНЕТА
		АЛ307ГМ		Светодиод зеленый, круглый,5мм, 1.5мКд, 2,8В	ПРОТОН-ОПТОЭЛ
		КТ898А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	84	260.10
		КТ898А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		1	324.00
		КТ898А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	227	260.00
		КТ898А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЭЛЬТАВ
		КТ898А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ФРЯЗИНО
		КТ898А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЭПЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"