|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74AC04D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6 PB free в бобинах
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74AC04D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6 PB free в бобинах
|
|
|
34.00
|
|
|
|
74AC04D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6 PB free в бобинах
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
74AC04D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6 PB free в бобинах
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
74AC04D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6 PB free в бобинах
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
74AC04D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6 PB free в бобинах
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
74AC04D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6 PB free в бобинах
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
74AC04D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6 PB free в бобинах
|
INTEGRAL
|
|
|
|
|
|
74AC04D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6 PB free в бобинах
|
1
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
473 901
|
1.82
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
98 438
|
2.24
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
2 874
|
5.28
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
6.63
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
73 523
|
1.97
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
592
|
1.75
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
1
|
1.28
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
208
|
1.45
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
475
|
1.69
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
232 800
|
1.18
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
824 773
|
1.08
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
625 411
|
1.16
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
152 000
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
1 407
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
41 600
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
2 240
|
1.60
|
|
|
|
LMX1600TM |
|
Cинтезатор частоты с дробным коэфиц. 200...2000MГц /40...500 MГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LMX1600TM |
|
Cинтезатор частоты с дробным коэфиц. 200...2000MГц /40...500 MГц
|
|
|
137.08
|
|
|
|
LMX1600TM |
|
Cинтезатор частоты с дробным коэфиц. 200...2000MГц /40...500 MГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
4
|
|
|
|
|
LMX1600TM |
|
Cинтезатор частоты с дробным коэфиц. 200...2000MГц /40...500 MГц
|
NATIONAL
|
20
|
125.95
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
EIC
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
35
|
18.84
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
SMK
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
DC COMPONENTS
|
2 044
|
10.07
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
КИТАЙ
|
80
|
20.40
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
MOTOROLA
|
284
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
DIOTEC
|
3 981
|
12.16
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
YJ
|
11 356
|
5.82
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
MIC
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
LTL
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
|
16 560
|
3.82
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
LITTLEFUSE
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
HOTTECH
|
1 520
|
7.87
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
BRIGHTKING
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
JJM
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
RECTIFIER
|
225
|
12.00
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
0.00
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
LGE
|
129
|
8.22
|
|
|
|
X7R-1.0UF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 1.0 мкФ, 50 В, X7R, 10%
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
X7R-1.0UF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 1.0 мкФ, 50 В, X7R, 10%
|
|
|
17.60
|
|