Версия для печати
Технические характеристики MC1496P

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Функция	Modulator/Demodulator
Частота	300MHz
RF Type	FM
Корпус (размер)	14-DIP (0.300", 7.62mm)

MC1496 (Обработка сигналов) Balanced Modulators / Demodulators Также в этом файле: MC1496P, MC1496P1, MC1496PG Производитель: ON Semiconductor //www.onsemi.com MC1496P datasheet 216.07Kb 14стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Радиочастотные компоненты (RF и RFID)

 » 

RF различные модули

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		4007UBD			FAI/QTC
		4007UBD					4.20
		4007UBD			КИТАЙ
		4584BD		Микросхема стандартной логики КМОП(40)	FAI/QTC
		4584BD		Микросхема стандартной логики КМОП(40)			31.36
		4584BD		Микросхема стандартной логики КМОП(40)	МАЛАЙЗИЯ
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	NXP
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	PHILIPS
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	VISHAY
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт			13.60
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	PHILIPS
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	КИТАЙ
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	NXP
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	INFINEON
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	INFINEON	54
		SA602AD		Двойной балансный смеситель и осциллятор	PHILIPS
		SA602AD		Двойной балансный смеситель и осциллятор
		SA602AD		Двойной балансный смеситель и осциллятор	NXP
		SA602AD		Двойной балансный смеситель и осциллятор	NXP
		SA602AD		Двойной балансный смеситель и осциллятор	PHILIPS
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	КРЕМНИЙ	311	48.45
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В		542	31.50
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	БРЯНСК
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	МИНСК
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	RUS
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ИНТЕГРАЛ
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ТРАНЗИСТОР

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"