MJ11016
Транзистор биполярный составной NPN Darl, 120V, 30A, 200W
|
|
Версия для печати
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30A |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 300mA, 30A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 20A, 5V |
| Power - Max | 200W |
| Frequency - Transition | 4MHz |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | TO-204AA, TO-3 (2 Leads + case) |
| Корпус | TO-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
MJ11016 Npn Silicon Darlington Transistor
Производитель:
|
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N6284 |
|
Транзистор S-N-DR.+Д 100В 20A TO3 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| 2N6284 |
|
Транзистор S-N-DR.+Д 100В 20A TO3 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||
| 2N6284 |
|
Транзистор S-N-DR.+Д 100В 20A TO3 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| 2N6284 |
|
Транзистор S-N-DR.+Д 100В 20A TO3 | STMicroelectronics |
|
|
|||
| MJ11012 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MJ11012 | ON SEMICONDUCTOR | 53 |
|
|||||
| MJ4502 | MOTOROLA |
|
|
|||||
| MJ4502 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MJ4502 | ONS |
|
|
|||||
| MJ4502 |
|
|
||||||
| MJ4502 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
