|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BYG20J-E3/TR3 |
|
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BYG20J-E3/TR3 |
|
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс
|
Vishay/General Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BYG20J-E3/TR3 |
|
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BYG20J-E3/TR3 |
|
Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс
|
|
5 920
|
8.36
|
|
|
|
MPX5050DP |
|
Датчик давления 50kPa +-2,5% 867C
|
FRS/MOT
|
|
|
|
|
|
MPX5050DP |
|
Датчик давления 50kPa +-2,5% 867C
|
FRS
|
|
|
|
|
|
MPX5050DP |
|
Датчик давления 50kPa +-2,5% 867C
|
FREESCALE
|
|
|
|
|
|
MPX5050DP |
|
Датчик давления 50kPa +-2,5% 867C
|
|
|
1 873.64
|
|
|
|
MPX5050DP |
|
Датчик давления 50kPa +-2,5% 867C
|
Freescale Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MPX5050DP |
|
Датчик давления 50kPa +-2,5% 867C
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
MPX5050DP |
|
Датчик давления 50kPa +-2,5% 867C
|
NXP/FRS
|
|
|
|
|
|
MPX5050DP |
|
Датчик давления 50kPa +-2,5% 867C
|
NXP
|
|
|
|
|
|
MPX5050DP |
|
Датчик давления 50kPa +-2,5% 867C
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
ONS
|
8
|
24.63
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
|
1
|
187.20
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
ТО325-12.5-12 |
|
|
|
|
724.00
|
|
|
|
ТО325-12.5-12 |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
ТО325-12.5-12 |
|
|
АСТРА ЭЛЕКТРО
|
|
|
|
|
|
ТС132-50-12 |
|
|
|
295
|
814.73
|
|
|
|
ТС132-50-12 |
|
|
СИЛ.ПРИБ.4
|
|
|
|
|
|
ТС132-50-12 |
|
|
ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
ТС132-50-12 |
|
|
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
ТС132-50-12 |
|
|
СИЛОВЫЕ ДИОДЫ
|
4
|
2 784.60
|
|
|
|
ТС132-50-12 |
|
|
АСТРА ЭЛЕКТРО
|
|
|
|