|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAS316/T1 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS316/T1 |
|
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
344
|
57.07
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
|
22
|
35.20
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
CD4001BE |
|
Логическая ИС - [DIP-14, 2ИЛИ-НЕ, Uпит: 3...18 В
|
HGSEMI
|
5 673
|
18.34
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
45 520
|
3.86
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
81 016
|
4.92
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
45 364
|
5.22
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
82 392
|
2.77
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
23 985
|
8.88
|
|
|
|
MIC5205-3.3YM5 TR |
|
LDO 1 кан, Uвх=2,5:16 В, Uвых=3,3 В, Iвых=150 мА, Udrop=165 мВ,-40:+125 °С точность ...
|
MICREL
|
|
|
|
|
|
MIC5205-3.3YM5 TR |
|
LDO 1 кан, Uвх=2,5:16 В, Uвых=3,3 В, Iвых=150 мА, Udrop=165 мВ,-40:+125 °С точность ...
|
Micrel Inc
|
|
|
|
|
|
MIC5205-3.3YM5 TR |
|
LDO 1 кан, Uвх=2,5:16 В, Uвых=3,3 В, Iвых=150 мА, Udrop=165 мВ,-40:+125 °С точность ...
|
MCH/MCRL
|
|
|
|
|
|
КТ315Г ЖЕЛТ. |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г ЖЕЛТ. |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ315Г ЖЕЛТ. |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
КВАРЦИТ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г ЖЕЛТ. |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
ТОМСК
|
|
|
|