PAL007A
УНЧ-DMOS 4x43W BTL (14.4V/2 Ом), max 4x80W, Gv=26dB, Mute/Standby
|
|
Версия для печати
| Количество каналов | 4 |
| Выходная мощность, Вт | 4х50 |
| Напряжение питания, В | 18 |
| Тип корпуса | flexiwatt25 |
| Напряжение на нагрузке, В | 10 |
| Сопротивление нагрузки, Ом | 4 |
| Вид напряжения питания | однополярное |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0805-2.4M 1% |
|
ЧИП — резистор | 312 |
1.08 >500 шт. 0.36 |
||||
| 0805-5.1M 5% |
|
ЧИП — резистор | 264 |
1.00 >1000 шт. 0.20 |
||||
| IT-1188E (6X3X3.5) | 8 160 | 1.97 | ||||||
| IT-1188E (6X3X3.5) | 8 160 | 1.97 | ||||||
| IT-1188E (6X3X3.5) | КИТАЙ |
|
|
|||||
| IT-1188E (6X3X3.5) | RUICHI |
|
|
|||||
| RC1206FR-0733RL | YAGEO | 177 021 |
0.72 >500 шт. 0.24 |
|||||
| RC1206FR-0733RL | YAGEO |
|
|
|||||
| RC1206FR-0733RL |
|
|
||||||
 |
 |
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ... | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ... |
|
360.00 | ||
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ... | Infineon Technologies |
|
|
