| Функциональное назначение | гнезда на плату |
| Серия | PBS |
| Количество рядов | 1 |
| Количество контактов в ряду | 20 |
| Шаг контактов,мм | 2.54 |
| Форма контактов | угол 90о |
| Материал изолятора | полимер усиленный стекловолокном |
| Сопротивление изолятора не менее,МОм | 500 |
| Материал контактов | фосфористая бронза |
| Покрытие контактов | золото |
| Сопротивление контактов не более,Ом | 0.01 |
| Рабочий ток,А | 1 |
| Рабочее напряжение,В | 500 |
| Предельное напряжение не менее,В | 1500 В перем.тока в течение 1 мин. |
| Способ монтажа | пайка в отверстия на плате |
| Рабочая температура,°С | -55…140 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
2EDGK-5.08-08P-14-00AH |
|
|
DEGSON ELECTRONICS
|
9 890
|
111.63
|
|
|
|
|
2EDGK-5.08-08P-14-00AH |
|
|
|
|
|
|
 |
 |
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
|
69 680
|
1.08
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS
|
800
|
6.63
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
DC COMPONENTS
|
6 627
|
2.75
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
UTC
|
40
|
11.10
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
DIOTEC
|
37 408
|
2.37
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NXP
|
2 497
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
HOTTECH
|
228 230
|
1.84
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YJ
|
1 326 963
|
1.48
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
405
|
2.19
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ZH
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
TRR
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
SUNTAN
|
794 072
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
1
|
|
|
|
|
|
|
PLS-20R (ШАГ 2.54 ММ) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
PLS-40R (ШАГ 2.54 ММ) |
|
|
|
800
|
6.85
|
|
|
|
|
PLS-40R (ШАГ 2.54 ММ) |
|
|
RUICHI
|
|
|
|
|
|
|
SR24 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=2A@T=75C, Ifsm=50A, Vf=0.5V@I=2A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C).
|
MOSPEC
|
|
|
|
|
|
|
SR24 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=2A@T=75C, Ifsm=50A, Vf=0.5V@I=2A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C).
|
|
|
|
|
|
|
|
SR24 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=2A@T=75C, Ifsm=50A, Vf=0.5V@I=2A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C).
|
MOSPEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
SR24 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=2A@T=75C, Ifsm=50A, Vf=0.5V@I=2A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C).
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SR24 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=2A@T=75C, Ifsm=50A, Vf=0.5V@I=2A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C).
|
PJ
|
2 699
|
5.57
|
|
Версия для печати
