Версия для печати
Технические характеристики SAE800

Корпус	P-DIP-8
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Сфера применения	Tone Gong
Тип	Tone Gong
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

SAE 800 Programmable Single- / Dual- / Triple- Tone Gong Также в этом файле: SAE800G Производитель: Siemens Semiconductor Group //www.infineon.com SAE800 datasheet 984.13Kb 14стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Обработка аудиосигналов

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SA1294		Биполярный транзистор Si-P, 230V, 15A, 130W, 35MHz	SANKEN
		2SA1294		Биполярный транзистор Si-P, 230V, 15A, 130W, 35MHz	SK
		2SA1294		Биполярный транзистор Si-P, 230V, 15A, 130W, 35MHz			316.44
		2SA1294		Биполярный транзистор Si-P, 230V, 15A, 130W, 35MHz	ТАИЛАНД
		2SA1294		Биполярный транзистор Si-P, 230V, 15A, 130W, 35MHz	NTM
		2SA1294		Биполярный транзистор Si-P, 230V, 15A, 130W, 35MHz	NXP
		2SA1294		Биполярный транзистор Si-P, 230V, 15A, 130W, 35MHz	ISCSEMI
		2SC3263-Y			SK
		2SC3263-Y
		MOC3082			MOTOROLA	80	122.40
		MOC3082				144	52.80
		MOC3082				144	52.80
		MOC3082			FAIRCHILD
		MOC3082			FCS
		MOC3082			ISO	726	52.26
		MOC3082			ONSEMICONDUCTOR
		MOC3082			1
		MOC3083		Симисторный оптрон 7.5кВ, 800В	FAIR
		MOC3083		Симисторный оптрон 7.5кВ, 800В	MOTOROLA
		MOC3083		Симисторный оптрон 7.5кВ, 800В		101	61.20
		MOC3083		Симисторный оптрон 7.5кВ, 800В	FAIRCHILD	52	122.40
		MOC3083		Симисторный оптрон 7.5кВ, 800В	FCS
		MOC3083		Симисторный оптрон 7.5кВ, 800В	LIT	13 602	21.55
		MOC3083		Симисторный оптрон 7.5кВ, 800В	ONSEMICONDUCTOR
		MOC3083		Симисторный оптрон 7.5кВ, 800В	LITE-ON
		MOC3083		Симисторный оптрон 7.5кВ, 800В	1
		КД 522Б ИМП.(1N4148)		Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"