Версия для печати
Технические характеристики SH200M0100B7F-1632

Производитель	Yageo Corporation
Допуск емкости	±20%
Номинальное напряжение	200 В
Ток утечки	610 мкА
Тангенс угла диэлектрических потерь	0.15
Максимальный ток пульсаций	0.4 А
Шаг выводов	7.5 мм
Срок службы	2000 Ч
Размер корпуса	ф 16x32
Рабочая температура	-40...105 °C
	For General
Емкость	100 мкФ
Серия	SH
Корпус (размер)	Radial
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ECAP 4700/63V 2550 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор, выводы радиальные 4700 мкФ, 63 В, 105С	JAMICON
		ECAP 4700/63V 2550 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор, выводы радиальные 4700 мкФ, 63 В, 105С			320.00
		ECAP 4700/63V 2550 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор, выводы радиальные 4700 мкФ, 63 В, 105С	JAM
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	84.15
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	VISHAY
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	INTERSIL
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	ON SEMICONDUCTOR
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	SILICONIX
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...			53.40
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	1
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	ON SEMICONDUCTOR
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	SILICONIX
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	Vishay/Siliconix
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	STMicroelectronics
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	КИТАЙ
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	VISHAY/IR
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	ST MICROELECTRONICS
		IRFD120		МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFD120		МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт	RECTIFIER
		IRFD120		МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт	VISHAY
		IRFD120		МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт		19	93.60
		IRFD120		МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER	5
		IRFD120		МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт	Vishay/Siliconix
		IRFD120		МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт	SILICONIX	20
		IRFD120		МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт	ФИЛИППИНЫ
		IRFD120		МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт	1
		SH250M0033B5S-1325		Электролитический алюминиевый конденсатор 33 мкФ 250 В	YAGEO
		SH250M0033B5S-1325		Электролитический алюминиевый конденсатор 33 мкФ 250 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SH250M0033B5S-1325		Электролитический алюминиевый конденсатор 33 мкФ 250 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SH250M3R30B5S-1012		Электролитический алюминиевый конденсатор 3.3 мкФ 250 В	YAGEO
		SH250M3R30B5S-1012		Электролитический алюминиевый конденсатор 3.3 мкФ 250 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SH250M3R30B5S-1012		Электролитический алюминиевый конденсатор 3.3 мкФ 250 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"