SK063M1000B7F-1632


Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 63 В

Купить SK063M1000B7F-1632 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SK063M1000B7F-1632
Версия для печати

Технические характеристики SK063M1000B7F-1632

ПроизводительYageo Corporation
Допуск емкости±20%
Номинальное напряжение63 В
Ток утечки630 мкА
Тангенс угла диэлектрических потерь0.09
Максимальный ток пульсаций1550 А
Шаг выводов7.5 мм
Срок службы2000 Ч
Размер корпусаф 16x32
Рабочая температура-40...85 °C
For General
Емкость1000 мкФ
СерияSK
Корпус (размер)Radial
Тип монтажаВыводной
ТипЭлектролитический алюминиевый
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
  2SA1538 Транзистор PNP (120V, 0.2A, 10W, 400MHz)   SANYO Заказ радиодеталей цена радиодетали
  2SA1538 Транзистор PNP (120V, 0.2A, 10W, 400MHz)     Заказ радиодеталей 40.00 
  2SA1538 Транзистор PNP (120V, 0.2A, 10W, 400MHz)   SAN Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)     2 416 17.56 
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ST MICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ST MICROELECTRONICS SEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   STMICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ST MICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ИНДИЯ Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   PILIPINES Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ST1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   STMICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   CHANGJIANG Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   HOTTECH 1 472 12.26 
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   CHINA Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   JSCJ 2 212 10.22 
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ИМОРТ Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF740 N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF740 N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF740 N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А   ST MICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF740 N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А     4 320 27.14 
IRF740 N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF740 N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А   ST MICROELECTRONICS SEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF740 N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А   Vishay/Siliconix Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF740 N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF740 N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF740 N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А   IR/VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF740 N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А   MINOS 784 38.61 
    KBU6 (6А,1000В)       Заказ радиодеталей цена радиодетали
KBU810 Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В   DC COMPONENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
KBU810 Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В     2 406 29.80 
KBU810 Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В   YJ 2 236 41.24 
KBU810 Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В   HOTTECH 2 560 29.12 
KBU810 Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В   KOME Заказ радиодеталей цена радиодетали
KBU810 Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В   SUNTAN Заказ радиодеталей цена радиодетали
KBU810 Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В   YANGJIE 3 200 33.55 
KBU810 Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В   YANGJIE (YJ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
KBU810 Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
KBU810 Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В   YIXING 1 600 27.85 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход