STD150N3LLH6

Версия для печати

Технические характеристики STD150N3LLH6

Серия	STripFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8 mOhm @ 40A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	80A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	29nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3700pF @ 25V
Power - Max	110W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STD150N3LLH6 (MOSFET)

N-channel 30 V, 0.0024 ? , 80 A, DPAK STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STD150N3LLH6 datasheet
503.8 Кб